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led芯片技术的发展

本文主要阐述了algainp led和GaN led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状,介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法,如芯片塑形、表面粗化

  https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22

标准GaN外延生长流程

本文为《标准GaN外延生长流程》以图文结合的方式阐述了GaN基外延片的生长过程与流程,使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。

  https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49

led蓝宝石衬底与芯片背部减薄制程技术

蓝宝石衬底虽然受到来自si与GaN衬底的挑战,但是考虑到成本与良率,蓝宝石在近两年内仍然具有优势,可以预见接下来蓝宝石衬底的发展方向是大尺寸与图案化(pss)。由于蓝宝石硬度仅次

  https://www.alighting.cn/resource/20121018/126325.htm2012/10/18 10:48:12

晶圆发光技术探索

晶长膜领域中,要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合,基于发光元件高辉度要求,不断增大发光元件的发光面积,随着该面积变大,消费电力也随着急遽暴

  https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00

电子束辐照对GaN基led发光性能的影响

研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基led外延片进

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14

硅基GaN能否战胜蓝宝石

在si基板上形成的led应该比蓝宝石基板led便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆,今后这一情况也仍将继续,因此使用硅基GaN基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25

将sic外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

远程荧光粉光源技术的特点与优势

本文旨在为目前日渐兴起的远程荧光粉技术应用在led光源领域提供参考。以intermatix的chromalit为例讲解远程荧光粉的设计可塑性,特点工艺和能效。

  https://www.alighting.cn/2012/8/31 11:05:56

高亮度led的高精度高性价比测试

led测试在生产的不同阶段具有不同类型的测试序列,例如设计研发阶段的测试、生产过程中的晶圆级测试、以及封装后的最终测试。尽管led的测试一般包含电气和光学测量,本文着重探讨电气特

  https://www.alighting.cn/resource/20120813/126466.htm2012/8/13 17:53:00

功率型led芯片的热超声倒装技术

摘要:结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接

  https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12

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