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采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上GaN的晶体特性和光学性能，并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。
https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30
一份有关俄罗斯照明计划的文件最近签署，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。
https://www.alighting.cn/news/20081217/V18290.htm2008/12/17 8:51:52
测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的GaN 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现
https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20
中国国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)日前对外表示，中国的led市场将继续扩大，到2010年预计市值达到320亿元。而GaN类led的供货量到2010年可望超越日本，达
https://www.alighting.cn/news/20071204/106417.htm2007/12/4 0:00:00
近日，日本大厂同和电子（dowa electronics）宣佈，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外led芯片。比目前市售的紫外led发光波长短，实现了该波长范围全球最
https://www.alighting.cn/news/20080521/105650.htm2008/5/21 0:00:00
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了GaN薄膜的晶格参
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
近几年人们制造led晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅sic)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09
