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led技术在照明领域的应用前景

车后部的高位刹车灯,90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。  1995年,日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后,世界上结束了没有原色蓝光的历史,在全球掀起了ga

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261576.html2012/1/8 21:51:22

led概述

之材料及其外延技术中,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。  一般来说,GaN的成长须

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35

led知识概述

6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261534.html2012/1/8 21:48:44

led芯片降价空间大 可通过三种途径

电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261531.html2012/1/8 21:48:34

浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

高亮度led封装工艺技术及方案

l bonding),将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走,并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面,帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08

led 组装静电防护最低要求

路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化,例如漏电流加大,一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下,起放

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261432.html2012/1/8 21:28:50

led道路照明光源的散热与配光应用

、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来,随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步,led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高,le

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