站内搜索
由于led具有电光转换效率高、寿命长和节能环保等优点,以GaN基led为主的半导体照明近年来发展非常迅猛,各种应用层出不穷,当前在全球能源紧张和“节能减排”的大环境下,国家非常重
https://www.alighting.cn/resource/20120302/126705.htm2012/3/2 10:09:16
给 GaN (氮化镓) 沉积带来不利影响，从而使得该材料在高质量led应用方面受到限
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:20:04
对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的GaN基inGaN/GaN多量子阱蓝光led芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进
https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22
采用热阻测试仪，分别对采用不同粘结材料和封装基板的led进行了测试，并通过结构函数对led传热路径上的热结构特性进行了分析.结果表明，GaN陶瓷封装基板、mcpcb板以及塑料pc
https://www.alighting.cn/2011/12/5 17:48:09
蓝宝石(al2o3，英文名为sapphire)为製成氮化镓(GaN)磊晶发光层的主要基板材质，GaN可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichi
https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22
https://www.alighting.cn/2011/11/21 14:47:47
握led 器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1w 功率led 及不同功率的GaN 基白光led 的结温和热阻进行了测
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/3/15724_14.htm2011/11/3 15:07:24
硅上氮化镓(GaN)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
导读： 效率下降是阻碍GaN基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
