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势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，被led吸
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262737.html2012/1/29 0:41:28
为最大可能提高大功率led路灯发光板的电光转化率与散热效率,在不影响外量子效率前提下对led芯片设计采用扩大led芯片面积,以及电极优化技术增加led芯片的出光量,使芯片表面热
http://blog.alighting.cn/143698/archive/2012/7/23/283119.html2012/7/23 21:27:09
减，一个原因是材料内缺陷的增殖。众所周知，现代的高亮led器件通常都采用mocvd技术在gaas、蓝宝石等异质衬底上外延生长ingaalp或InGaN等材料制成，为提高发光效率，外
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109143.html2010/10/20 17:15:00
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（gan）和铟氮化镓（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01
底过渡方法。在蓝宝石衬底除去后的pn结的制造商，在蓝宝石衬底上生长InGaN芯片，然后再连接的传统的四元材料，制造大型结构的蓝色led芯片的下部电极上，通过常规的方法。
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
流指标可以看出：对于gaasp二极管，vf可以上升到2.7v（+40%）；对于InGaN二极管，vf可以上程式到4.2v（+20%）。如果系统中需要多个led，如蜂窝电话背板显示器采
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2008/9/25/9117.html2008/9/25 14:40:00
成发光中心,实现了1cd的亮度,并最终投产。信号灯等应用产品也相继开始出现。 1992年4月,从美国学会讲演归来的中村为了开发出双异质结构,埋头研究InGaN膜的生成(表1)。如果
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40244.html2010/4/14 22:56:00
a的背光以及汽车仪表的照明。 2 白色led的发光机理及特性 2．1 发光机理 单芯片白色led是一种含InGaN活性层的can发光二极管，它主要有两种发光机理：一种是结
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
料和器件工艺技术研究的前沿课题。 超高亮度(uhb)是指发光强度达到或超过100mcd的led，又称坎德拉(cd)级led。高亮度a1gainp和InGaN led的研制进展十
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
