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a额定短时耐受时间4s额定工频耐受电压10kv额定开矩4±0.4mm触头自闭力115±11N额定开矩下的触头反力140±14N额定触头压力下的接触电阻≤100μ
http://blog.alighting.cn/wldqylq/archive/2010/6/22/51876.html2010/6/22 16:44:00
时耐受时间4s额定工频耐受电压10kv额定开矩4±0.4mm触头自闭力100±10N额定开矩下的触头反力140±14N额定触头压力下的接触电阻≤100μ
http://blog.alighting.cn/wldqylq/archive/2010/6/22/51877.html2010/6/22 16:45:00
.5ka额定短时耐受电流31.5ka储存期20年额定电流开断次数30次额定短时耐受时间4s配用断路器zN28-12型额定冲击耐受电压75kv触头自闭力190±40N额定短路关合电
http://blog.alighting.cn/wldqylq/archive/2010/6/22/51879.html2010/6/22 16:45:00
开断电流25、31.5ka额定短时耐受电流31.5ka储存期20年额定电流开断次数30次额定短时耐受时间4s配用断路器zN28-12型额定冲击耐受电压75kv触头自闭力190±40
http://blog.alighting.cn/wldqylq/archive/2010/6/22/51880.html2010/6/22 16:46:00
闭力115±11N;触头额定开距时的反力140±14N;触头自闭力下的接触电阻≤100μω;配用断路器zk1--630
http://blog.alighting.cn/wldqylq/archive/2010/6/22/51881.html2010/6/22 16:46:00
dgc35矿用隔爆型支架灯 矿用隔爆型支架灯 支架灯 dgc35/127N矿用隔爆型支架灯小功率双芯管高压钠灯新光源，高效节能--85流明/瓦，是白炽灯的5倍，荧光灯的3倍。长
http://blog.alighting.cn/zhongmei77/archive/2010/10/5/101549.html2010/10/5 8:50:00
置能否使得导线在接线端处免受拉力和扭矩，并保护导线的绝缘免受磨损。能对当被测软线施加拉力，拉力可调范围：0-100N，精度至少为0.1N，在距软线固定装置约20mm处，或其它适当位
http://blog.alighting.cn/fangjungoing/archive/2010/11/29/117380.html2010/11/29 17:40:00
N缓冲层→生长N型gaN→生长iNgaN/gaN多量子阱发光层→生长p型aigaN层→生长p型gaN层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作N型掺si
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
技部项目验收。 si衬底led芯片制造 1.1技术路线 在si衬底上生长gaN，制作led蓝光芯片。 工艺流程：在si衬底上生长alN缓冲层→生长N型gaN
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
s, margaux eyssette, victor garzóN, Nissim hagueNauer, pablo de la hoz, ismael martí
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/8/19/232858.html2011/8/19 11:33:00
