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2007年10月15日，cree宣布推出零微管(zmptm)100mm(4英寸)、n型SiC衬底，凭借这一成果，cree加强了其在全球SiC基半导体材料市场领先制造商的地位。si
https://www.alighting.cn/news/20071016/121232.htm2007/10/16 0:00:00
科锐在继今年5月份推出全SiC 1.2kv半桥式功率模块之后，宣布推出业界首款全SiC 1.7kv功率模块，采用业界标准62mm封装，继续保持在SiC功率器件技术领域的领先地
https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57
2014年10月28日，科锐(nasdaq: cree)宣布继续扩展其屡获殊荣的SiC 1.2kv六单元(six-pack)功率模块系列，推出新型20a全SiC模块，作为5-1
https://www.alighting.cn/news/20141028/110520.htm2014/10/28 9:27:52
7月31日， 富士通半导体株式会社与安森美半导体宣布：双方已经达成晶圆代工服务协议。根据此协议的条款，富士通将在其日本福岛县会津若松市的8英寸(200 mm)前工序半导体晶圆制造
https://www.alighting.cn/news/20140801/110808.htm2014/8/1 11:07:20
台湾瑞新（杰瑞特科技）电子为一家台湾高科技ic设计公司，我们的ic芯片/晶圆在业界久负盛名。我们既可以给你提供成品高压mos管，也可以给您提供mos管8寸晶圆，500v，650
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2013/1/6/306546.html2013/1/6 15:33:03
科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功
https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55
美国应用材料(amat)宣布投产新型rtp(rapid thermal processing)装置“vulcan”。这款装置主要面向28nm以后的工艺，采用从晶圆背面进行加热的方
https://www.alighting.cn/news/20110704/100825.htm2011/7/4 10:40:31
led制程技术的演进速度已愈来愈趋近半导体摩尔定律的发展脚步。以6寸蓝宝石晶圆制造的高亮度led生产线才陆续建成，led制造大厂已展开了8寸及12寸晶圆制造的研发工作。除欲进一
https://www.alighting.cn/news/20110427/100732.htm2011/4/27 11:59:40
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的SiC衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
如果你需要测试的话我们可以送样品给你们测试，产品不是吹出来的，我们的产品经得起验证。所有：高压mos管650v600v500v等型号可以以晶圆，裸片形式出货。电源管理ic出货源
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303374.html2012/12/13 15:24:37
