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联，而集成led则是串并联。集成led的特点是在一个大晶片上采用开槽的方法，将其切割成为很多小的led，沟槽的深度约在4-8μm，沟槽不能太宽以免减小发光面积。在开出沟槽以后，为
http://blog.alighting.cn/binxuegandan/archive/2011/10/14/244609.html2011/10/14 8:39:01
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/10/10/243713.html2011/10/10 11:52:47
日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成
https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49
很多SiC基板厂商已转向开发6英寸产品。口径增至6英寸，虽然能够提高SiC制功率元件的生产效率，但结晶缺陷增加会导致成品率降低。因此，能否在保持现行4英寸产品的结晶品质下实现6英
https://www.alighting.cn/news/20110921/100107.htm2011/9/21 9:27:56
评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目“kamome-pj”有两大目的：一是试制水冷式SiC功率模块。据介绍，采用由康奈可(calsonic kansei)设计的铝压
https://www.alighting.cn/news/20110914/100259.htm2011/9/14 10:31:46
夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233112.html2011/8/20 0:04:00
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00
a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用SiC衬底制造a1gainn超亮度led的全球唯一厂家，近年来a1galnn／SiC芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.点胶在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/8/2/231475.html2011/8/2 10:39:00
生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析 ,结果表明 ,可在这种衬底上成功地生长出 6h SiC单晶薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
