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本文主要与大家分享薄膜芯片技术概要，封装技术介绍，驱动设计，照明用大功率led技术等，与大家分享关于高亮led的一些近况；
https://www.alighting.cn/2011/11/28 12:48:47
2013 版用于发改委立项高亮度led 外延片及芯片及封装技术项目可行性研究报告(全程辅助+专家答疑)审查要求及编制方案，仅供参考。
https://www.alighting.cn/2013/2/25 11:44:13
在si衬底上生长了gan基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
韩国三星电子（samsung electronics）开发出了使用单晶硅tft的2.4英寸qvga主动矩阵型有机el面板，并在“sid 2007”上发表了制造技术的详细情况。提
https://www.alighting.cn/resource/20070529/128502.htm2007/5/29 0:00:00
led芯片的制造过程，led制造工艺流程，从扩片到包装。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/128341.htm2010/7/12 15:06:55
°c时约为25w/(m-k))，为了改善衬底的散热，cree公司采用碳化硅硅衬底，它的导热性能(490w/(m-k))要比蓝宝石高将近20倍。而且蓝宝石要使用银胶固晶，而银胶的导
https://www.alighting.cn/resource/20140526/124550.htm2014/5/26 11:11:04
延片及芯片制造的核心设备，也为打造光电产业基地实现了项目建设中最关键节点的突
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127993.htm2010/7/12 16:48:15
友达光电成功研制出一款双面全彩主动式矩阵有机发光显示器 (double sided active matrix oled)，是全球首度在一片主动式矩阵有机发光显示器的两面。该技
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128419.htm2011/1/11 11:29:33
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
基板的选择中，氧化铝(al2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体，但绝缘性不
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16
