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宽禁带的zns缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用，促进器件载流子平衡，提高了器件发光效率，改善了器件性能。
https://www.alighting.cn/2015/1/20 10:50:57
半导体器件的结温是一个重要参数，特别对于功率器件而言，结温直接决定了器件的可靠性和使用寿命。
https://www.alighting.cn/resource/20110503/127676.htm2011/5/3 13:27:38
单，但是要将光传感器和用不同晶体材料做成的电子器件放到同一个基面上可不是件容易的事，晶体材料中的微观结构很容易相互排斥。 当人们往传感器施压的时候，这股压力改变了通往每根纳米线上的电
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/8/13/323367.html2013/8/13 11:36:13
般由封装结构材料、工艺引起，即封装结构和用的环氧、硅胶、导电胶、荧光粉、焊接、引线、工艺、温度等因素引起的。 （2）十度法则 某些电子器件在一定温度范围内，温度每升高10
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51
装技术主要应满足以下两点要求：一是封装结构要有高的取光效率，其二是热阻要尽可能低，这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。 半导体led若要作为照明光源，常规产品的光通量与白炽
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115038.html2010/11/18 17:03:00
量必须通过整个结构才能在热沉上消散；led器件的散热途径主要是热传导和热对流；sapphire衬底材料极低的热导率导致器件热阻增加，产生严重的自加热效应，对器件的性能和可靠性产生毁灭
http://blog.alighting.cn/207609/archive/2015/7/17/372245.html2015/7/17 9:15:48
d封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00
大芯片面积，加大工作电流来提高器件的光电转换效率，从而获得较高的发光通量。除了芯片外，器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有： 散热技术 传统的指示灯型led封装结构，一般是
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
片面积，加大工作电流来提高器件的光电转换效率，从而获得较高的发光通量。除了芯片外，器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有：散热技术传统的指示灯型led封装结构，一般是用导
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00
