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入战略性新兴产业。据国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)发布的统计数据，今年1月至7月，中国led行业计划新增投资总额达1256亿元。据了解，上游衬底和外延芯片是投资的重
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/12/244215.html2011/10/12 17:09:42
目基本上都是靠其他项目养活的。” 据了解，各地竞相出台的led投资规划和在建产能已经远超出市场的实际需求，以投资最热的led蓝宝石衬底为例，其在建项目产能达10100万片/年，
http://blog.alighting.cn/114793/archive/2011/11/12/252489.html2011/11/12 10:38:55
业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258464.html2011/12/19 10:54:49
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258504.html2011/12/19 10:56:54
”全国高科技企业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉记者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。 从国
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258514.html2011/12/19 10:57:23
要很高的温度来打断nh3之n-h的键解，另外一方面由动力学仿真也得知nh3和mo gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。 led外延片工艺流程如下： 衬底 - 结构设计
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258517.html2011/12/19 10:57:31
法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
d，绿光led。1994年蓝光led的研制成功使白光led的开发成为可能。1996年日本nichia（日亚）公司成功开发出二波长白光（基于蓝光单晶片衬底上加以yag黄色荧光粉混合产生白
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258652.html2011/12/19 11:11:08
明。《意见》则进一步明确了我国led照明节能产业的重点发展领域：一是技术与装备。支持mocvd装备、新型衬底、高纯mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化镓材料、ole
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258654.html2011/12/19 11:11:14
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