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士发表了《大功率GaN led技术》的专题演
https://www.alighting.cn/news/20110612/109070.htm2011/6/12 17:31:55
光粉的白光发光二极管研究》的报告，通过例举学术界的多项研究，向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率led”的理论、技术与优势等相关各个方面的介
https://www.alighting.cn/news/20110611/109094.htm2011/6/11 14:38:05
额16000万美元，本项目投产后，可形成年产高亮度GaN蓝光外延片72万片，背光芯片46亿颗，照明芯片3.9亿颗的生产规模。作为开发晶的控股方，长城开发借助26年发展积累下来的优势和经验，
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188330.html2011/6/4 19:38:00
差压变送器包括型(基型)，hp型(高静压)和dr型(微差压)三种类型。以上三类变送器与智能放大板组合，可构成智能型差压变送器，它可通过符合hart协议的手操器相互通讯，进行设定和监
http://blog.alighting.cn/sensoryu/archive/2011/6/4/188302.html2011/6/4 16:40:00
p）的研发项目里，imec与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅晶片上生长GaN/alGaN的技术。借助这项新技术，GaN mishemts（ metal-insulato
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
铝基）、lf-2（环保铝基）； 铜箔厚度：1/2-6盎司； 线路层数：1-16层； 最小线宽：0.1mm(4 mils)； 最小线距：0.1mm(4 mils) ； 最
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180533.html2011/5/28 11:34:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180532.html2011/5/28 11:33:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180531.html2011/5/28 11:32:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180529.html2011/5/28 11:31:00
