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]或70ma恒定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gan基led，p型电极和n型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近n型电极处电流密度很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
获得的低位错密度的厚膜与衬底分离，从而成为体单晶 gan晶片的替代品，用作采用其他方法进行同质外延生长的衬底。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚，反应气体对设备具有腐蚀性，影响ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
m2之间的超薄发光标牌，可像素管发光模组；厚度在10mm以上的大型超薄发光指示牌，应选用发光角在30度以内的超高亮发光模组。 总之，广大广告界同仁在利用led应用技术制作产品
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134107.html2011/2/20 22:48:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破gan材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
大的差距，同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年，但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器，像素密度达到5-6个／mm2。表
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134090.html2011/2/20 22:12:00
到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破gan材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
经达到的超高亮度全彩色视频显示的水平，可以说能够满足各种应用条件的要求。其应用领域已经遍及交通、证券、电信、广告、宣传等各个方面。我国led显示屏的发展可以说基本上与世界水平同步，至
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133863.html2011/2/19 23:33:00
比fpga，工作电压3.3v，内核电压1.5v。采用0.13μm工艺技术，全铜sram工艺，其密度为5980个逻辑单元，包含20个128×36位的ram块（m4k模块），总的ram空
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133850.html2011/2/19 23:30:00
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
式。可以选用74ls273这样一类锁存芯片，采用首尾相连的方式。这种方式虽然对印刷线路扳的质量要求高，密度大，增加了布线的难度，但目前的制板技术和采用smd贴片元件，完全可以克服。
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133825.html2011/2/19 23:17:00
