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铝基）、lf-2（环保铝基）； 铜箔厚度：1/2-6盎司； 线路层数：1-16层； 最小线宽：0.1mm(4 mils)； 最小线距：0.1mm(4 mils) ； 最
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180528.html2011/5/28 11:29:00
东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示，此项成果明确了追赶GaN类产品的前进道路。 据了解，制造led元件时采用了mbe（分子束外延）法，并开发出了不使用自由基
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
道，维持向上格局。ims research的预估，2011年GaN led出货量将达620亿颗，总产值则由2010年的80亿美元跃升至108亿美元，首次突破百亿大关。 led
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
少在控制fet和同步fet中使用powertrench® mosfet屏蔽柵極技術而產生的振鈴噪聲。同步fet還集成了一個肖特基二極管，免除外部緩衝器電路，提高總體性能和功率密度，同
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180477.html2011/5/27 22:30:00
n precision industries）、立基（ligitek electronics）、光宝（lite-on technology）。 合肥爱默尔电子科技有限公司专注于智能照明和酒
http://blog.alighting.cn/hfamedz/archive/2011/5/26/180361.html2011/5/26 10:26:00
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。东北大学原
https://www.alighting.cn/news/20110526/100302.htm2011/5/26 9:42:28
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/20110524/127562.htm2011/5/24 12:38:10
低一次性封装成本；分散的封装形式有利于减低散热设计成本；选择国产的铝基pcb板材；便于光学设计；电源设计简化；封装形式多样；有利增强国产led竞争力。 这是cree、nichi
http://blog.alighting.cn/lighting-design/archive/2011/5/22/180081.html2011/5/22 7:57:00
、以及 薄膜陶瓷基板三种，在传统高功率led元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板，再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。 如前言所述，此金线连结限制了热量沿电
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179997.html2011/5/20 22:41:00
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179994.html2011/5/20 22:35:00
