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右）是一个强宽谱带，它的发射峰与 eu2+ 浓度相关，在 583~603nm 范围。这类激发和发射光谱是 eu2+ 的 4f～7 4f b 5D 跃迁。荧光体的发光强度随 eu2
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00
入电压下最佳占空比的近似值： 其中rb为整流器电阻，与应用电路中的r11相同，在本应用中设定为1。vD为整流二极管D1的正向压降。 将已知数值代入上式得
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00
路电流源, (D) 一路电流源驱动串联leD。 图5.各个白色leD的正向电压(vf)对调节电流精度的影响不同，取决于调节电路的结构：(a)电压源与镇流电阻,(b)电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134145.html2011/2/20 23:06:00
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http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134141.html2011/2/20 23:04:00
正端(vDD)相连，流经电感器的电流开始呈线性迅速上升。当pwm信号达到高电平时，功率开关q1就会断开，此时，电流流经二极管D，来维持电流回路。 电容器co会过滤经调节的输
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
成一个单元，硅基片的底面为稳压二极管的p区，n区通过铝导电反光层与每组leD的正、负极分别连接在一起，通过合金工艺实现欧姆接触。smD电容c1，c2，c3和二极管D1设计在外围区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
时，q1关断并保持一个固定时间，电感中的能量流过D1和leD。经过这个固定时间后，q1重新导通，如此循环往复。 电路工作原理分析 下面对电路的工作原理进行更详细地分析，以得
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
们需要为电流提供一条通路。这可以通过图2D中的续流二极管来实现，图中我们用n通道mosfet来代替开关，并且加上电阻器r用以测量流经leD的电流。 当电流降至
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
车头灯具设计及加工的特殊性。反射型与投射型leD发光源3D模型仿真
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133881.html2011/2/19 23:39:00
个电路图显示非隔离转换器电路的最基本实现方式，是一个将交流电源以D1到D4进行整流，接着通过电感器l1、mosfet -q1、输出电容c4以及控制器所组成降压转换电路。在这个9
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133878.html2011/2/19 23:38:00
