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对应用在leD显示控制系统中的sDram控制器进行了设计,实现了256×64像素点的实时显示控制,采用xilinx公司的现场可编程逻辑器件(fpga)xc3s250e作为系统的硬
https://www.alighting.cn/resource/20110927/127072.htm2011/9/27 13:45:05
数,2.利用高分辨x射线衍射对gan基leD外延片的超晶格结构进行了测量, 3.利用高分辨透射电子显微镜对gan基leD外延片进行了分析 4.利用f7000荧光光谱仪对样品进行了光
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
对这种发光器件性能的影响。在普通有机电致发光器件空穴传输层和发光层之间直接蒸镀一层纳米zno薄膜,当纳米zno薄膜的厚度为1nm时,器件的电流效率可达3.26cD/a,是没有纳米zn
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleDs器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
报导了一个利用leD作光源探测甲烷浓度的差分探测系统,分析了系统中各光学元件的作用,给出甲烷浓度的计算方法及实验结果.选用甲烷在1.65μm附近2ν3谱带中的r支作为探测对象.利
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127188.htm2011/9/7 9:22:31
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
为106k,jc(77k,0t)为3.5ma/cm2,微波表面电阻rs(77k,10ghz)为390μ
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35
其光学吸收边随温度升高而发生红移现象,且禁带宽度和热力学温度之间满足eg(t)=3.40-4.91×10-4t的关系.这为今后进一步利用zno薄膜的禁带宽度检测相应的环境温度,研制
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06
D灯具的安全性。 3、电源输入电压范围：（电压：170--250v）变化时，均能稳定地工作。使leD灯发光效果好，寿命更长等优点。 4、本leD防水型开关电源有多种规格设计，适合各
http://blog.alighting.cn/lmn2009/archive/2010/4/2/39313.html2010/4/2 12:23:00
