检索首页
阿拉丁已为您找到约 13287条相关结果 (用时 0.2801397 秒)

si衬底gan基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36

新型白光led 的光谱特性和相关结温特性

目前,白光led(wled)的制备方法主要是利用蓝光led 芯片与yag 荧光粉结合实现(即光转换法),但由于yag 的发射光谱中缺少红光成分,所以难以实现高显色性 ,并且该问

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:26:44

高温预生长对图形化蓝宝石衬底gan 薄膜质量的提高

在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44

联建光电:将持续外延并购 做大户外传媒领头羊

深圳市联建光电股份有限公司(以下简称“联建光电”或“公司”)公布重大资产重组方案,公司拟以现金约2.62亿元及31元发行约2200万股份的方式,总作价约9.5亿元人民币购买上海友拓

  https://www.alighting.cn/news/20141013/110514.htm2014/10/13 10:16:47

科锐推出业界首款1.7kv全sic功率模块

位。基于科锐c2m?大尺寸sic芯片技术,这一新款半桥式模块能够实现令人称赞的8m?导通电阻以及比现有si集模块技术高10倍的开关效率,从而使得能够替代额定400a甚至更高的si

  https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57

蓝光led 芯片透明导电薄膜ito退火工艺的研究

通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16

si衬底gan基蓝光led钝化增透膜研究

在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。

  https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30

绿色荧光粉的发光特性

目前人们正尝试采用近紫外光芯片激发红、绿和蓝三基色荧光粉得到白光led因此!当前急需研制适用于近紫外光有效激发的三基色荧光粉。

  https://www.alighting.cn/2014/10/10 9:42:51

怎样选择护眼灯?

度最佳,做台灯使用也不错。需要警惕的是以省电为卖点的led台灯,led发光原理本身就是以蓝光芯片做为基础光源,近年来led灯具伤眼致人失明的事件不断增多,此种台灯并不可取。详情:央

  http://blog.alighting.cn/lightbosh/archive/2014/10/9/358738.html2014/10/9 15:43:34

中照论坛:照明企业渠道建设探讨

动电源的失效很低,一年审核可能占1%左右。  led芯片与封装技术最新进展  上海科锐光电发展有限公司中国区营业总经理 邵嘉平    目前国内照明行业上游的材料外延芯片发展已经到

  http://blog.alighting.cn/cat/archive/2014/10/9/358737.html2014/10/9 15:09:25

首页 上一页 150 151 152 153 154 155 156 157 下一页