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功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

科学家发明彩色高效硅基发光二极管

由深红色光谱区域调谐至橘黄色的光谱区域,量子效率亦可达1.1%。值得一提的是,制成的硅基发光二极管具有令人惊讶的长期稳定性,这在此前从未实现过。操作组件寿命的增长是因为只采用了同

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/25/312349.html2013/3/25 14:06:29

关于白光led的两种做法

生的热量能尽快的散发出去,不仅提高产品的发光效率,同时也提高了产品的可靠性和寿命. (3)封装原材料的选择.封装材料的选择是建立在散热的基础上的,因此芯片、基板、支架、散热器和填充材

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00

关于白光led的两种做法

生的热量能尽快的散发出去,不仅提高产品的发光效率,同时也提高了产品的可靠性和寿命. (3)封装原材料的选择.封装材料的选择是建立在散热的基础上的,因此芯片、基板、支架、散热器和填充材

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29

分析led灯具散热设计

即大约70%的电能都变成了热能。具体来说,led结温的产生是由于两个因素所引起的。  (1)内部量子效率不高,也就是在电子和空穴复合时,并不能100%都产生光子,通常称为由“电流泄漏

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268564.html2012/3/16 17:38:40

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