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本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片内
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
信越化工有限公司(shin-etsu chemical)开发了新一代低折射率硅封装材料“ker-7000”系列，大大提高了发光二级管的可靠性和亮度。而且降低透气性。“ker
https://www.alighting.cn/pingce/20120314/122474.htm2012/3/14 10:26:01
1： 导热硅脂、铝基板的导热性能不足，导热系数都在2以下；2：导热硅脂老化，导热油挥发后，导热性能下降，有可能变成隔热硅脂；3：热变型，芯片或铝基板与散热器厚度、材料是不一致的，当冷热循
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2012/3/14/267647.html2012/3/14 9:19:14
led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新材料。在短短数年内，借助于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/15102_42.htm2012/3/13 15:10:02
穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的esd值就
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267565.html2012/3/12 19:23:39
期的led只是采用si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，(在100°c时约为25w/(m-k))，为了改善衬底的散热，cree公司采用碳化硅硅衬
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18
于可控硅调光。图15可用于高功率ledpar灯的反激式隔离型恒流电源 这个电路图是一个给24瓦par灯用的演示板的电路图。其主要技术指标如下： 这个市电恒流源因为功率大，而且可以适应
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267554.html2012/3/12 19:15:22
瓷基光源产
https://www.alighting.cn/news/20120312/114279.htm2012/3/12 13:19:25
晶科电子“e系列”产品是基于apt专利技术—倒装焊接技术，实现了单芯片及多芯片模组的无金线、无固晶胶封装，具有高亮度、高光效、高可靠性、低热阻、颜色一致性好等特点。
https://www.alighting.cn/news/2012312/n920438104.htm2012/3/12 11:51:07
