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层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊led芯片散热能力的主要因素;而对于正装led芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13
延材料生长工艺的优化和改善提供依据,达到预测和提高器件可靠性的目的。欢迎下载学
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
及最大聚光角口一三个关键参数的计算方法并实现了cpc的建模。该方法为cpc的定量设计提供了数学依据,有利于优化设计以及光学模拟和光学分析的实现,从而提高了设计效率,为其在太阳能利
https://www.alighting.cn/resource/2012/7/13/18039_33.htm2012/7/13 18:00:39
、短路电流计算、经济调度edc/agc,最优潮流opf、无功优化,gis功能、电压稳定分析pv/qv、atc计算、用户定制模块等多种庞大复杂功能于一体,并利用数据挖掘技术实现强大丰
https://www.alighting.cn/resource/2008814/V570.htm2008/8/14 11:45:26
https://www.alighting.cn/resource/2008814/V569.htm2008/8/14 11:13:41
式圆锥透镜、半椭球透镜和半圆球透镜对led 取光效率的影响。仿真实验结果表明在优化条件下,5630topled 的取光效率可提高10.7%,光分布均匀。该仿真结果对下一步亚毫米级阵
https://www.alighting.cn/resource/20140715/124446.htm2014/7/15 10:58:30
内, 通过对高端电流的采样来设置led平均电流, 芯片输出电流精度控制在5.5%, 同时芯片可通过dim引脚实现模拟调光和pwm调光, 优化后的芯片响应速度可使芯片达到很高的调光
https://www.alighting.cn/resource/20131129/125062.htm2013/11/29 10:11:37
向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在gan中的扩散系
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
内,通过对高端电流的采样来设置led平均电流,芯片输出电流精度控制在5.5%,同时芯片可通过dim引脚实现模拟调光和pwm调光,优化后的芯片响应速度可使芯片达到很高的调光
https://www.alighting.cn/2013/9/30 14:16:30
有自主知识产权和较强竞争力的核心产品,优化产业结构,建立以市场需求为导向、以行业龙头企业为骨干的led产业,加强产业发展宏观指导,形成有利于产业发展的政策及配套环境,充分发挥市场配
https://www.alighting.cn/2013/8/22 14:54:29