站内搜索
近日， 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供货商安森美半导体新推出多信道led驱动器ncp1840。此产品结合了多种创新特性，采用无铅、符合rohs指令的4 mm x 4 m
https://www.alighting.cn/pingce/20111103/122788.htm2011/11/3 10:38:13
通过多年市场磨砺和历练，已经成为smt高端印刷设备的知名企业。其gkg品牌旗下，拥有smt领域的gkg全自动视觉印刷机、solar领域的gkg-solar全自动晶硅太阳能电池片丝
https://www.alighting.cn/news/20111101/85680.htm2011/11/1 13:43:51
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
本文为晶科电子(广州)有限公司侯宇先生所讲解之《半导体工艺和硅片衬底流程简介》，从半导体的角度去讲解硅片衬底，以及led衬底的制作流程，通过这个教材会对半导体的加工流程和基本形成原
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126938.htm2011/10/31 20:11:17
d室内照明的中可控硅调光的实现方式和相关设计注意事项,供参
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126943.htm2011/10/31 14:22:31
目前功率元件中使用的硅晶圆口径最大为200mm。英飞凌市场营销及分销高级副总裁anton mueller自豪地表示，“我们是业界第一家”证实了采用300mm晶圆可以制造出与20
https://www.alighting.cn/news/20111026/114298.htm2011/10/26 10:37:46
团。 光伏产业：高回报率引导需求回升 中国光伏政策有望在年底明确化,在供给端方面,预估将对多晶硅产业设立高门槛准入标准。需求端部分,国内在建及规划的电站规模迅速扩大,印
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248617.html2011/10/25 17:23:39
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
