站内搜索
量和改善器件性能。对于提高外量子效率，其方向主要是从芯片技术角度出发，通过对芯片结构优化设计，如优化衬底剥离技术、表面粗化技术和采用光子晶体结构等，这些技术措施同时也能提高芯片内量
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07
高的衬底、外延、芯片的生产主要在美国、日本、欧盟等发达国家；封装应用主要分布于我国台湾地区、韩国、东南亚及中国大陆地区等。2.2 中国ｌｅｄ照明产业现状 （1）近几年中国ｌｅｄ照
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268501.html2012/3/16 14:22:27
光效率达到 ４０~５０ｌｍ/w；１９９０年基于ｓｉｃ材料的蓝光ｌｅｄ出现，发光效率为０．０４ｌｍ/w；９０年代中期出现以蓝宝石为衬底的ｇａｎ蓝光ｌｅｄ，到目前仍使用该技术。３ ｌｅ
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268550.html2012/3/16 17:28:21
业发展led专业委员会主任郑浩闻告诉笔者，led产业链较长，从上游的衬底材料、外延、芯片到器件封装以及应用，涵盖了半导体工业和照明工业，是各学科交叉融合的产业。从国内的led产业布
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271158.html2012/4/10 20:58:12
明。《意见》则进一步明确了我国led照明节能产业的重点发展领域：一是技术与装备。支持mocvd装备、新型衬底、高纯mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化镓材料、ole
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271692.html2012/4/10 23:22:26
d，绿光led。1994年蓝光led的研制成功使白光led的开发成为可能。1996年日本nichia（日亚）公司成功开发出二波长白光（基于蓝光单晶片衬底上加以yag黄色荧光粉混合产生白
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271694.html2012/4/10 23:22:37
法在蓝宝石衬底上生长的蓝色ｇａｎ基ｌｅｄ外延片，外延片为多量子阱结构。芯片制造中，ｎ欧姆接触电极采用ｔｉ／ａｌ／ｔｉ／ａｕ结构，ｐ欧姆接触电极用氧化ｎｉ／ａｕ透明电极，焊线电极
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
草。 同样，重庆本土企业在标准制定上也不甘落后。四联光电是我市一家成立仅4年的企业，就是这样一家企业，目前正在和一家国外知名的led企业合作，准备着手推出6英寸衬底晶片的国际标
http://blog.alighting.cn/135603/archive/2012/5/20/275604.html2012/5/20 22:20:31
物led芯片、新型微纳结构半导体照明、短距离光通信与照明结合的新型led器件等。前沿技术研究上，主要关注突破白光led的专利壁垒，在光效上达到国际同期的先进水平，重点的研究方向包括了衬
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/5/24/276011.html2012/5/24 23:30:54
