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2007年7月24日，aixtron ag宣布其长期客户华上光电再次订购mocvd系统，用以开发、制备GaN 超高亮(uhb)led。此次订购的型号为aix 2800g4 h
https://www.alighting.cn/news/20070725/116752.htm2007/7/25 0:00:00
e computing)，并适用于要求长寿命、高质量tft(薄膜晶体管)显示屏的应用领
https://www.alighting.cn/news/20070719/121093.htm2007/7/19 0:00:00
汉的新厂房里，用于生产高亮(hb)GaN le
https://www.alighting.cn/news/20070718/116622.htm2007/7/18 0:00:00
led实现白光的方法有多种，其中技术相对简单的主流方法是在GaN基蓝光led芯片上涂一层黄色荧光粉。
https://www.alighting.cn/news/200779/V8101.htm2007/7/9 15:05:20
led是由超导发光晶体产生的超高强度的灯光。
https://www.alighting.cn/news/2007629/V8057.htm2007/6/29 13:32:17
d 陆续安装投入使用，将使国内的 GaN mocvd 设备增加到 55
https://www.alighting.cn/news/20070618/92240.htm2007/6/18 0:00:00
2007年6月7日，澳大利亚bluglass公司称其在直径6英寸镀膜玻璃晶片上沉积的GaN发出蓝光，这在世界上是第一次。大尺寸玻璃晶片上高质量led材料的沉积技术的进步可能最终带
https://www.alighting.cn/resource/20070611/128507.htm2007/6/11 0:00:00
q 和剑桥大学组成团队基于6英寸硅衬底开发GaN发射器，来实现低成本芯片的制
https://www.alighting.cn/news/20070608/103134.htm2007/6/8 0:00:00
p全部的led产品，其中包括350nm及360nm紫外GaN le
https://www.alighting.cn/news/20070606/120127.htm2007/6/6 0:00:00
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(GaN)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
