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韩国多晶硅生产商oci company, ltd.今日斥资4730万美元订购gt solar最新型sdr?400 cvd反应器。该订单将被纳入gt solar当前的2011会计年
https://www.alighting.cn/news/20101214/115688.htm2010/12/14 9:16:15
将SiC基板的端面倾斜放置，接着制作凹凸状电极，藉此改变光线的入射角，达到抑制光线反射的效果，该公司计划未来将组件上下反转进行flip chip连接，同时在发光层设置mirror使光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和SiC两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
较理想的，现在已成为降低内应力的主要方法。该方法通常是在环氧树脂中添加大量的二氧化硅之类的无机填充剂粉末，大幅度降低封装材料的线膨胀系数，达到降低内应力的目的。为了使填充的大量无
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
0 lm/w，这种新型结构在国内尚无产品，处于空白状况，目前国内所用的高流明效率的ingaalp功率型硅衬底led芯片全部从海外进口。 整个“十五”期间，我国的ingaalp超
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
温小于135℃，与之对应led退化率也很小，所以引起塑料封装材料变化，对led的寿命有重要的影响的温度范围是135～145℃，另外，在大电流条件下，封装材料甚至会碳化[4－6
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外，在应用设计中，ｐｃｂ线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入２１世纪后，ｌｅｄ的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新，红、橙ｌｅｄ光效已
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
错密度，改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan，再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成gan视窗和掩膜层
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气h2或氬气ar等惰性气体作为载体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。接下来是对led-pn结的两个电极进行加工，并对led毛
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
能超过容许值，最后业者终於领悟到解决封装的散热问题才是根本方法。有关led的使用寿命，例如改用硅质封装材料与陶瓷封装材料，能使led的使用寿命提高一位数，尤其是白光led的发光频
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
