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料。20世纪80年代早期开始使用外延片,它具有标准pW所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。历史上,外延片是由si片制造商生产并自
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型)；环保、安全、长寿命(2-5万小时)；易维护,高显色指数(led光源在70－80之间,普通高压钠灯显色指数只有20－40左右,颜色失真严重)；耐开关易控制(低温使用－开启即
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形树脂透镜,可使光集中到led的轴线方向,相应的视角较小；如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型,其相应视角将增大。一般情况下,led的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm/℃,光谱宽
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者包括配套电器,可达110 lm/W,后者包括配套电器可达80 lm/W。但这类光源应用在道路灯具中时,只有40%左右的光是直接透过玻璃罩到达路面的,其他的光是通过灯具反射器再投射
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商开始提供智能化的点阵led显示屏。80年代早期的重大技术突破是开发出了algaasled,它能以每瓦10流明的发光效率发出红光。这一技术进步使led能够应用于室外运动信息发布以
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3)?;式中-etfe膜的透射率；?;u-利用系数；?;-每瓦led所发光通量,lm；?;l-亮度,cd/ m2；?;p-每平米etfe气枕表面所需led功率,W。(3)etfe
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化硅sic衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比较。评价衬底材料必须综合考虑下列因素：1．衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近
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led的发光??色和发光效率与氧作led的材料和氧程有关,目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由於led工作电压低(仅1.5-3v),能主动发光且有一定亮度,亮度又能用电压(或电
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能led开发技术。虽 然白光led技术成熟度目前已发展到某个阶段,但毕竟单颗的led功率大约是0.1W左右,光通量会有所限制；换句话说,就是必须将多颗led经由整合 后,才能以「新一
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范,例如,定义了led芯片与模块的结构,在色温必须是cie 1960的ucs色度坐标上,黑色放射轨道偏差量在0.02范围内2500k∼10000k,而光谱方面则是必须落在可视光的范
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