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大功率照明级led的封装技术

造流程是:首先在外延顶部的p型gan上淀积厚度大于500a的niau层,用于欧姆接触和背反射;再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触

  http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00

两大问题制约led产业发展

将超过500家。2010年,led产品的总产值在60亿元到80亿元之间。  从业态分布看,led的上游是研发外延和芯,中游则是做封装,下游就是做应用方面。  黄志桐说,根据广东

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222091.html2011/6/19 23:17:00

led照明及led显示屏发展历程解读

n基上研制出第一只蓝色的发光二极管;1997年通过蓝光激发荧光粉,做出第一只白光led;2001年用紫外光激发荧光粉做成了白光led。   高亮度半导体发光二极管作为光源已逐

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00

印制电路板工艺设计规范

j(smallout-linej-leadedpackage):j形引线小外形封装。  cob(chiponboard):板上芯封装。  flip-chip:倒装焊芯。  式元件(chi

  http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/20/222189.html2011/6/20 15:31:00

大功率照明级led的封装技术、材料详解

题,这是目前主流的大功率led的生产方式。 美国lumileds公司于2001年研制出了algainn功率型倒装芯(fcled)结构,其制造流程是:首先在外延顶部的p型ga

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00

白光led照明驱动选择及其主要电路结构设计

2 功率开关原件设计  开关电源中的功率开关元件主要是功率晶体管、功率mosfet、功率igbt。本设计中选功率三极管e13007,  同时配上散热。开关频率定为40khz。  3.

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229919.html2011/7/17 23:13:00

led的封装技术

亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延和芯的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

发光二极管封装结构及技术

产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延和 芯的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

rgb与白光led存亡之战

有出现以彩色滤光来做滤光后整合的动作,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229943.html2011/7/17 23:27:00

照明用led封装技术关键

1 散热技术传统的指示灯型led 封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯装在小尺的反射杯中或载台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250~300 ℃

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00

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