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底：层叠反射层在gap基led外延层上，键合导电支持衬底，剥离砷化鎵衬底。导电支持衬底包括，砷化鎵衬底，磷化鎵衬底，硅衬底，金属及合金等。另外，生长在硅片上的垂直gan基led也
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11
m），最大功率达到400 mw（驱动电流1a，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜 除在键合界面制备金属基反射层外，也可
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
粉的全套工程化技术；在北京有色金属研究总院建成了国内第一条pdp荧光粉的测试线。这些，都为我国pdp荧光粉的产业化生产打下了良好的基础。 日本1999年pdp荧光材料用量为10吨，全世
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261581.html2012/1/8 21:53:43
此，通常的做法是将led安装在金属芯pcb上以将led的热量快速传导出去。根据不同的整体设计，可能需要对led的背板实施直接冷却(如使用冷却风扇)。 在led的使用过程中保持亮
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
保，led为可回收光源，而节能灯、卤钨灯等都含有污染环境的金属元素（如汞），回收成为一大难题；3、安全，led光源发热不高；4、寿命长，理论上led光衰可以减到70%的标称寿命10万小
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261556.html2012/1/8 21:49:49
废磨片剂。 清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。 rca清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检测系统。（2）标准型。通常作指示灯用，其
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261545.html2012/1/8 21:49:09
别 eosesd典型地,由电源和测试设备产生esd属于eos的特例，有限的能量,由静电荷引起事件持续时间在微秒~秒级. (也可能是毫微秒)事件持续时间在微微秒~毫微秒级损坏的现象包括金
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261542.html2012/1/8 21:49:00
特的金属基覆铜板，具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座，从而减少灌封胶部分产生的热
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261540.html2012/1/8 21:48:56
以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类： （1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°~20&am
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