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.50;第3季底积压订单金额为3.89亿美
https://www.alighting.cn/news/20111026/114884.htm2011/10/26 11:29:27
调查显示，nichia、cree、lumileds、osram、toyoda gosei、toshiba和rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%~90%的原创性
https://www.alighting.cn/news/20111026/89838.htm2011/10/26 8:55:29
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
led光效是衡量光电转换器件是否节能的一个重要因素，如何提高led光效使其达到节能的效果，本文从透明衬底技术、金属膜反射技术、表面微结构技术、倒装芯片技术四个方面介绍了提高led
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/21/113338_44.htm2011/10/21 11:33:38
