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其产品的国际领先性标志着新兴行业领域的话语权和未来国际国内市场的占有率。近年来，日本“21世纪光计划”、美国“下一代照明计划”、欧盟“彩虹计划”、韩国“GaN半导体发光计划”等政
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/2/16/133169.html2011/2/16 13:53:00
面下手，此层面的作法相当多，依据不同的化合材料也有不同，目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN，前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光，后者ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。一般来说，GaN的成长须要很高的温度来打断nh3之n-h的键解，另外一方面由动力学仿真也得知nh3和mogas会进行反应产生没有挥发
http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/24/226838.html2011/6/24 8:33:00
素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为led主要使用材料之一。GaN氮化镓。氮化镓,是ⅲ-ⅴ族元素化合的化合
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
同,目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN,前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光,后者GaN用来产生绿、翠绿、蓝光,以及用inGaN产生近紫外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。 一般来说，GaN的成长须
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233086.html2011/8/19 23:56:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258517.html2011/12/19 10:57:31
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
、蜂鸣器、片式元件、臭氧发生器等。bq-51xx系列 是一种通用型中温导电银浆，符合欧洲rohs指令。具有附着力强、耐焊性和抗老化性能良好、导电性能好等特点。此系列适用于氧化铝陶瓷基
http://blog.alighting.cn/ufuture/archive/2009/4/5/2860.html2009/4/5 10:06:00
