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ansi c78.1421-2002 投射灯尺寸和中心定位系统.gz4基的35mm整体反射轮辋标准灯
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/3/173015_38.htm2011/5/3 17:30:15
泛光照明工程施工，建筑面积约20000 ㎡，地下一层地上三层,建筑高度23.9米。 2、本项目建设地点：高尔基路与中山路交界处，投标截止时间为2011年5月26日。 3、工期：60
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/5/3/168486.html2011/5/3 9:52:00
led光衰(led droop)是由俄歇复合(auger recombination)引起的。俄歇复合是一种在半导体中发生的，三个带电粒子互相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包
https://www.alighting.cn/news/201153/n979331737.htm2011/5/3 9:00:25
灯。 van de walle教授和他的同事们正在改进高效能，无毒且长寿命的氮化物基led性能。他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00
止静电）碳带：awr470平压头碳带、awr6平压头碳带、awr fh加强型平压蜡基碳带、awx100碳带、awx500+碳带、axr7+树脂平压头碳带、axr8树脂平压头碳带、ax
http://blog.alighting.cn/gzmilliontech/archive/2011/4/29/167676.html2011/4/29 11:36:00
光的幕后英雄mark kenyon(马克·基
https://www.alighting.cn/news/2011428/n292031700.htm2011/4/28 16:28:56
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
《聚焦led灯具和led光源的基本概念》内容：2010年6月，iec tc34在芬兰赫尔辛基召开了led研讨会，会上，“led灯具和led灯”的议题成为与会专家谈论的焦点。本文主
https://www.alighting.cn/resource/2011/4/25/115911_04.htm2011/4/25 11:59:11
GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方
https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/nonuea12/archive/2011/4/19/166205.html2011/4/19 21:26:00
