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2007年5月24日，台湾光鋐科技（epileds）订下两台thomas swan（aixtron子公司）ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮（hb）ga
https://www.alighting.cn/news/2007528/V5187.htm2007/5/28 15:56:52
GaN、aln、inn及其合金等材，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
2007年5月24日，台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮(hb)ga
https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可
https://www.alighting.cn/news/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
https://www.alighting.cn/resource/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术，通过优化结构设计，优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺，开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外
https://www.alighting.cn/news/2007522/V8003.htm2007/5/22 13:56:23
在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“sic单晶衬底制备”课题（课题编号：2006aa03
https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00
