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势。 第二章 MOCVD之原理 ｍｏｃｖｄ反应为一非平衡状态下成长机制，其原理为利用有机金属化学气相沉积法ｍｅｔａｌ－ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏ
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过MOCVD 技术在兰宝石衬底上生长gan基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
片(epi wafer), 晶粒(chip)制程设备及材料:基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等 磊晶( MOCVD / mbe / lpe / vpe )、晶粒产
http://blog.alighting.cn/zhuli562898/archive/2011/5/17/179029.html2011/5/17 15:19:00
从4英寸增大至6英寸。 大口径化是提高生产效率的重要手段。比如，无需增加用来形成led发光部分等半导体结晶层的MOCVD装置数量，即可大幅增加led芯片产量，提高成本竞争力。我
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179084.html2011/5/17 16:21:00
元在MOCVD设备上,同时对每项设备还提供高达180万美元的补助金,地方政府也提出了降低税率、加速设备汰旧换新、以及免费用地等优惠措施,因此该计划等于是鼓励现有的中国led制造商去扩大产
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179091.html2011/5/17 16:25:00
r), 晶粒(chip) ◙ 制程设备及材料：基板, 单晶棒, 荧光粉, 环氧树脂, 导线架等 ◙ 磊晶( MOCVD / mbe / lpe / vpe )、晶粒产品( 扩散
http://blog.alighting.cn/sumei125/archive/2011/5/18/179280.html2011/5/18 14:36:00
http://blog.alighting.cn/ledpop/archive/2011/6/16/221429.html2011/6/16 16:02:00
湾地区专业生产超高亮度led磊晶片及晶粒的上市公司，自有金属有机气相沉积(MOCVD)技术，是目前全球led外延级芯片的主要制造商，拥有完整的led芯片产品知识产权。 近
http://blog.alighting.cn/ledpop/archive/2011/6/16/221432.html2011/6/16 16:03:00
员进入led行业。整理各公司发布的数字，2010-2015年间中国安装的MOCVD设备有可能达到2000台。如此之多的人员资金进入一个行业，必然会促进这个行业的快速发展。但也要求政
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222008.html2011/6/19 22:32:00
、黄、绿等多种单色led，并用于各种信号指示、标识、数码显示，逐步发展到小型led显示屏等。1991年业界采用MOCVD外延生长四元系材料，开发出高亮度发光二极管；1994年在ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222094.html2011/6/19 23:18:00
