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一、 散热:由于目前半导体发光二极管晶片技术的限制，led的光电转换效率还有待提高，尤其是大功率led，因其功率较高，大 约有60%以上的电能将变成热能释放（随着半导体技术的发
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
使透光性能变差。此外,引线焊点的存在也使器件的出光效率受到影响。采用gan led倒装芯片的结构可以从根本上消除上面的问题。 五、芯片键合技术 光电 子器件对所需要的材料在性能上
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
提高led芯片的光电效率，已成为led照明应用技术的关键指标，例如，藉由芯片结构的改变、芯片表面的粗化设计、多量子阱结构的设计形式，透过多重的制程技术改良，目前已能让单个led芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
型led封装技术主要应满足以下两点要求：①封装结构要有高的取光效率；②热阻要尽可能低,这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
