站内搜索
有体积孝重量轻、温度低、耗电少、无闪烁、发光均匀等特性,现已逐渐取代传统的lEd背光方式。El 背光系统是由El灯片和El驱动器组成。El灯片的厚度一般小于0.2mm,是由绝缘基
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00
及工作台面接地等。(1)在生产过程中,要求工人必须佩带接地静电手环。尤其在切脚、插件、调试和后焊工序时,并且作好监察,品质人员必须最少每两个小时做一次手环静电测试,作好测试纪录。(
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的lEd外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度lEd管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的lEd的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
题；(2)发光完全可控,不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题,黑色表现力大大提高；(3)发光效率可达5lm/w,使其耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半；(4)由
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序：经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
体单晶材料非常困难,到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过hvpE方法在其他衬底(如al2o3、sic、lgo)上生长氮化镓厚膜,然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如：ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
行目测,把有一点缺陷或者电极有磨损的,分捡出来,这些就是后面的散晶。此时在蓝膜上有不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些参数不符合要求),就
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
伏数组首先会将接收来的太阳辐射能量直接转换成电能供给负载,并将多余能量经过充电控制器后以化学能的形式储存在蓄电池中。2.lEd照明的优点：lEd半导体照明光源除具有使用寿命长、发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00
