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n上淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层，芯片尺寸为1mm×1mm，p型欧
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
型gan：mg淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；第三步，淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
造流程是：首先在外延片顶部的p型gan上淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
中展远洋邀您一起开拓中东市场 国际电力设备展 电力展 中东灯具展 水利设备和技术展 国际展会全程为您服务 2012年第37届中东国际电力、灯具、新能源博
http://blog.alighting.cn/meixiaozhang/archive/2011/7/27/231034.html2011/7/27 18:02:00
采用普通玻璃底板的oled面板是通过刻蚀变薄的。驱动电路由低温多晶硅tft构成。利用了低分子型oled材料。 没有采用玻璃底板封装，而是采用了基于溅镀的膜封装技术。因此，0.0
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2008/10/31/9243.html2008/10/31 22:11:00
r和bcl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
