站内搜索
据国外媒体报导，德国科学家正采用氢进行掺杂的方法制造出更高性能的led和其他半导体。他们表示，在使用氧化锌制造半导体时，合理控制氢原子将成为一个关键。
https://www.alighting.cn/news/20081217/105941.htm2008/12/17 0:00:00
原子或分子外层电子获得能量后受激发到激发态，电子在激发态不能稳定停留而向基态跃迁，在此过程中以光子的形式辐射出能量，即紫外线。
https://www.alighting.cn/news/20200217/166549.htm2020/2/17 10:25:25
构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为gaas的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
化场的冲击， 而这个效应会随着更高的铟原子浓度而变得更强。（led幕墙屏） 第三是外延的异质生长问题。由于外延生长时晶体中存在缺陷，形成大的位错密度和缺陷，从而导致光效下降和寿
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
散效果，而且还有助于提高led的抗esd能力。 一般情况下，人们是采用氮化铟镓（ingan）来制作电子发射层，但是铟（in）的沉积温度会超过1000℃，而采
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
本报讯（记者 叶森斐）中微半导体设备(上海)有限公司将正式发布多反应器金属有机化合物气相沉积设备(mocvd)，并首次进入半导体照明市场。prismo d-blue mocvd设
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313061.html2013/4/1 11:17:40
系，两色光相混后即可得到白光。 美国lumileds公司在2001年研制出了a1gainn功率型倒装片结构led(fcled)，具体做法是：第一步，在p型外延层上沉积厚度大于5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
制出了a1gainn功率型倒装片结构led(fcled)，具体做法是：第一步，在p型外延层上沉积厚度大于50nm的niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀p型
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
-近年来led产业在全球普遍受到重视，除了其发光效率日益改善，可达成多种让人感兴趣的应用外，其具备较省电的潜力、较长的使用寿命，已经成为未来各国禁用白炙灯泡后的替代照明选择之一。台
https://www.alighting.cn/news/20081114/107403.htm2008/11/14 0:00:00
