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si(001)衬底上闪锌矿zno的制备与分析

温的生长温度及热效应等因素相关

  https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15

led照明与地铁完美结合 共促环保事业

时节电就达到了49度;按照六年寿命周期内每天亮灯20小时计算,一根led照明灯将节电2146度,减少2.36吨的温室气体排放。 环保促进会的相关人士对地铁的led照明灯推崇备至,其绿

  http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/10/19/245188.html2011/10/19 10:50:36

高色温白光促发乳腺癌 led应该打入冷宫吗

骢教授进行了采访。  人与自然界的其他物种共生共存的过程中,靠宇宙、阳光、水、空气等物质繁衍生息,衍生进化。人类几十万年生长在太阳光、月亮光和火光当中,在几十万年的繁衍生息过程中,每

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2011/10/19/245172.html2011/10/19 10:11:02

na-mg共掺杂zno薄膜的结构和光学性质

利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03

mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜

采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44

mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

照明设计流程和程序

间照明涉及到可能本身还是城市夜景照明的组成部分,那么必须要考虑到城市照明规划。有的空间涉及到展示照明,就不单纯仅仅是建筑照明等等。 3、设计、施工周期 设计师必须了解委托项目的时

  http://blog.alighting.cn/lphchenf/archive/2011/10/17/244952.html2011/10/17 17:48:17

sio2/si衬底制备zno薄膜及表征

m,hall和pl对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的zno薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47

sic缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光电性能的改善

用脉冲激光沉积(pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用x射线衍射(xrd),光致发光(pl)谱,i-v曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

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