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达30%的新西兰等国家相比有较大差距。led灯具在中国市场发展目前主要阻力是成本问题。led芯片生产技术难度大，门槛高，养晶过程的温度，湿度，供电，除尘要求十分严格，初期需要投入巨
http://blog.alighting.cn/xsjled/archive/2011/3/16/142919.html2011/3/16 11:30:00
镓（ingan），发射波长的范围为450nm 至470nm，氮化铟镓led 可以产生五倍于氮化镓led 的光强。超亮度蓝光芯片是白光led 的核心，在这个发光芯片上抹上荧光磷，然后荧光
http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165437.html2011/4/14 22:03:00
d上游更应谨防结构性产能过剩。国内现在新上的led外延和芯片制造大都集中于蓝绿光部分，另外大部分厂家的技术和工艺能力相对集中在小尺寸芯片产品，应用方向为显示屏、装饰等。而在技术要
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/19/179612.html2011/5/19 0:11:00
、20.8%属led封装领域，仅4.2%属led芯片产值。 led通用照明市场要起飞，必须满足三个基本条件：第一，每瓦光通量指标要达到150-180lm，目前量产led的性能
http://blog.alighting.cn/locrow/archive/2011/6/7/193489.html2011/6/7 15:01:00
展趋势，并详细论述led的封装结构，讲授的范围包括芯片的互连技术、荧光粉的涂装、塑封的制程、和散热材料与热管理；有关led的光学设计、光学分析、以及光学检测等技术问题，也都会详加说
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222297.html2011/6/20 22:52:00
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222656.html2011/6/22 14:48:00
且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
d)的“固态照明”技术在上海世博园得到了充分的展示。据记者了解，上海世博园led芯片用量总数在10.03亿枚以上，其中园区内八成夜景照明采用led技术，世博园区已成为全球最大的le
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233101.html2011/8/20 0:00:00
、研发成本持续降低。led的核心技术是led芯片技术，随着led芯片技术专利在2010年之后逐渐“解冻”，led芯片的价格将会大幅下降，led商照产品的成本也会随之大大降低，这
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233104.html2011/8/20 0:01:00
兰微等企业也大幅扩大led投资。国外企业也来分一杯羹，去年11月，美国科锐决定在广东惠州建设led芯片生产基地。led投资热潮之所以形成，和中央与地方政府的支持密不可分。2008
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233198.html2011/8/20 0:30:00
