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备打下了基矗图5为不同激活剂含量下该稀土铝酸盐荧光粉的发射光谱。铝酸盐荧光粉的发射主峰位于680nm以上,而镓酸盐的发射主峰的波长更长,在700nm以上。 在不同的激活剂含量下,发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,gan缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控
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却是所有电子工业的基矗硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研制 的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发
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展uv三基色萤光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效萤光粉很多,其发光效率比目前使用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新胚阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子
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](1)、生长速率mocvd生长过程是由三甲基镓(tmg)扩散到衬底来控制,而不是表面动力学反应。在富砷条件下,其生长速率只取决于tmg压力,而与砷气压无关；而且在生长温度等于50
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
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为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研
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难的。所以,目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝
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此 避免了gan和腌膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led晶圆材料它为发展uv三基色荧光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效荧光粉很多,其发光效率比目前使
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