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小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
2led光源与其他光源不同,它的工作电流在额定范围内可大可校这一特性为led灯具实现亮度无级控制奠定了基矗目前,隧道led亮度智能无级控制系统已经研发成功,它的推广应用,必将对公路隧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229953.html2011/7/17 23:33:00
备打下了基矗图5为不同激活剂含量下该稀土铝酸盐荧光粉的发射光谱。铝酸盐荧光粉的发射主峰位于680nm以上,而镓酸盐的发射主峰的波长更长,在700nm以上。 在不同的激活剂含量下,发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,gan缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
却是所有电子工业的基矗硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研制 的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发
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展uv三基色萤光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效萤光粉很多,其发光效率比目前使用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新胚阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子
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](1)、生长速率mocvd生长过程是由三甲基镓(tmg)扩散到衬底来控制,而不是表面动力学反应。在富砷条件下,其生长速率只取决于tmg压力,而与砷气压无关；而且在生长温度等于50
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
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为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研
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