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在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
10月13日，在晶能光电(江西)有限公司采访时，该公司coo(首席运营官)张大鹏告诉记者，该公司拥有的硅衬底led材料与器件技术是本土化技术，大幅度降低了生产成本，而且是一项改
https://www.alighting.cn/news/20111018/99953.htm2011/10/18 9:16:04
本文为华宝证券公司关于led行业衬底细分市场的详细报告——《下游繁荣带动上游建设—led衬底行业报告 》，为内部参考资料，本网站仅作为分享所用，版权为华宝证券所有;
https://www.alighting.cn/2011/10/17 17:34:42
oled显示因符合未来显示技术发展的要求而引起越来越多的关注和重视,柔性及透明化显示是未来显示发展的趋势。综述了oled、柔性、透明化显示技术发展历程,并对现状进行了分析,指出目前
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:41:09
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
实验利用磁控溅射方法,采用zno陶瓷靶,以石英为衬底,制备了不同si掺杂浓度的样品,并在氧气氛下对样品做了不同温度的快速退火和随炉温自然退火处理,为了对比,实验采用了同样的制备方
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
市科技局副局长徐平东说，预计到今年底，将推广7.5万盏以上led半导体照明灯具。led半导体照明，能实现节电30%以上，地下停车场照明节电可达70%-80%左右，年节电约1150
https://www.alighting.cn/news/20111017/n053735051.htm2011/10/17 9:15:58
