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日立电线确认生产出3英寸GaN衬底

2007年4月24日,日立电线株式会社(hitachi cable)确认已成功制备出直径3英寸的GaN衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20070425/117179.htm2007/4/25 0:00:00

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/news/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/resource/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

欧洲最大的led会议吸引全球目光

2007年欧洲首个晶体照明 (ssl) 会议和展览euroled 2007表示,全球的工业家将于该次会议上展示最新的led和 oled 的低耗能照明技术。

  https://www.alighting.cn/news/2007418/V2339.htm2007/4/18 16:47:04

三星电机再订aixtron 两台mocvd系统

2007年4月11日,aixtron ag 宣布三星电机(semco)一月份再订其两台aix 2600g3ht mocvd系统用以生产高亮(hb)蓝、白光GaN led,两台工具

  https://www.alighting.cn/news/20070412/117119.htm2007/4/12 0:00:00

bluglass新GaN制备工艺实现成本节约

bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd(遥控等离子化学气相沉积)在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进

  https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00

玻璃衬底GaN led出现短暂发光

2007年3月19日,澳大利亚bluglass公司声称观察到玻璃衬底GaN led的短暂发光。

  https://www.alighting.cn/resource/20070320/128486.htm2007/3/20 0:00:00

sdk研究led晶体生长新工艺:混合ppd工艺有望突破亮度极限

为了满足日益增长的市场需求,昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(GaN)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺,主要用于蓝色和白色发光二极管(led)。

  https://www.alighting.cn/resource/20070312/128484.htm2007/3/12 0:00:00

松下开发出GaN衬底大功率白光led

2007年3月2日,松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片,其在350ma下的总辐射通量为355mw,外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月

  https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00

蓝光led之商机与应用(图)

短短数年内,台湾已成为全球以氮化镓(GaN)为主要制造材料的蓝光二极管(led)制造大本营。GaN不过才发明10年,现在已成为ssl(solid-state lighting)建

  https://www.alighting.cn/news/2007210/V3148.htm2007/2/10 16:38:31

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