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前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝石al2o3和碳
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
.86的黄光 led等。由於氧造?裼昧随?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而gan(氮化??)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
期很顺利走向垄断蓝光led市场之路。如同风云中的雄霸一般,野心想独吞天下,成也风云,败也风云。举个实际的发生例子而言,当1998年竞争对手丰田合成(toyoda gosei)的氮化
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229907.html2011/7/17 23:08:00
素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为led主要使用材料之一。gan氮化镓。氮化镓,是ⅲ-ⅴ族元素化合的化合
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
用纯净的碳化硅(sic)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化镓基料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00
己开发的led驱动器、mosfet和肖特基二极管实现,其中120w led照明驱动电源还配有完备的短路、开路保护功能,并通过emc认证测试。这二款产品的工作寿命均长达8万小时,有效克
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229887.html2011/7/17 22:56:00
式整流器,它也能够应用于交流环境,非常具有弹性。在高压发光二极体中,外部整流器舍弃ac led采用同质氮化镓的做法而改采用硅整流器,不仅使得耗能少,更可防止逆向偏压过大对晶片所造
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00
如ingaalp等)或氮化物(如ingan等)等半导体材料制作而成,其发光颜色因受发光机制与材料能隙的限制,故皆属于窄波宽的单色光。然就照明与显示之应用而言,则多数需要使用白色光源,倘若利
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件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面,除传统蓝宝石基底材料外,硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
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成电路的封装尺寸比异步解决方案的更大。在异步拓朴中,通路部份是以萧特基二极管(schottkydiode)的形式实现。与采用开关电容器的升压比较,电感式升压所多占的空间主要来自电感
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