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路。vtheRm跌落至1.2v内部基准电压以下时，比较器a将en拉低到地。当热敏电阻(R2)温度很高时，就会执行该操作。比较器b用于提供开路失效保护功能，即当热敏电阻的接点断开时，en将被拉
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从第一路leD中采样的，为保持各个回路leD电流均衡，需要对leD进行匹配选用，推荐使用vf值相近的leD，并在每个leD支路串接R1-D16的匀流电阻，使各支路的电流大小基本相
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230153.html2011/7/19 0:12:00
基二极管，第二个是一个简单的额定为120v的信号二极管。 ic1运转在R1设定的转换频率约为300千赫上。设计采用了一种斜率补偿的电流模式控制方案。信号从电流感应电阻器R5调节斜
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作系统。(1)、系统功能a、 自适应/手动屏体亮度调节功能；b、 自适应/手动机内温度调节功能；c、 主动式温度、电压超标报警及关机功能（远程）；D、 自动/手动色度调整及平衡矫正功
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230141.html2011/7/19 0:06:00
源的使用调节 1、操作步骤 a 、电流细调 电流粗调 电压细调 电压粗调 b 、表笔短路(电压3-5v)调节所需电流 c 、分开表笔调节所需的电压 D、 红笔接leD正极 黑
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230128.html2011/7/18 23:59:00
表检测方法： 用万用表的R×10k档测量 利用具有×10kω挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时,二极管正向电阻阻值为几十至200kω,反向电阻的值为 ∝。如
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230125.html2011/7/18 23:58:00
=0),因而有x0处,u(x)=0；x0处,u(x)=u0- qfx,根据条件u(x)=e=u0- qfx2式中D为膜层厚度,v为膜层隧道结两侧电压。当leD芯片发生光生伏特效应
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试结构,一种是将被测leD放置在球心,另外一种是放在球壁。 h:^e8( D 图2 积分球法测leD光通量 此外,由于积分球法测试光通量时光源对光的自吸收会对测试结果造成影
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一、主体思路：因为发光二极体具有单向导电性,所以我们使用 R × 10k 档可测出其正、反向电阻。一般正向电阻应小於 30k 欧姆,反向电阻应大於 1m 欧姆。若正、反向电阻均为
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定比例与一个参照光源(如cie标准光源a、b、c等,等能光源e,标准照明体D65 等)相混合而匹配出来的??色,这个光谱色就是??色的主波长。??色的主波长相当于人眼观测到的??色的
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