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LED驱动电源的运作原理。
https://www.alighting.cn/resource/20101027/128260.htm2010/10/27 16:12:55
2015年1到5月，我国半导体照明产业整体规模达到1793亿元人民币，较上年同期增长22.7%，保持较高速增长态势。其中上游外延芯片规模约66亿元，同比增长15%，中游封装规模
https://www.alighting.cn/news/20150824/131999.htm2015/8/24 9:39:26
在mocvd 反应器中外延异质结构的材料时，用来生长晶体的各组份和掺杂剂，都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量，在衬底上外延出特定组份、特
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55
8日台股盘面中以传产股表现较佳，金融股盘中虽也呈现强势，但卖压出笼压缩涨幅，电子股表现相对逊色，仅太阳能股表现较为抢眼。太阳能股为电子股中表现最佳的族群，硅外延片厂绿能继先前获上
https://www.alighting.cn/news/20080410/96126.htm2008/4/10 0:00:00
在平常人眼中，LED光源与LED灯具看似相同，但在专业人士眼中这两个概念却截然不同。从专业角度来说，LED光源与LED灯具有着非常明显的区别，本文就将针对这种区别来进行多方面的对
https://www.alighting.cn/resource/20161107/145838.htm2016/11/7 13:43:00
紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高，因此紫外le
https://www.alighting.cn/news/20200214/166521.htm2020/2/14 21:11:46
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
