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zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必须
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了LED产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbLED通常采用两种主要技术制成：InGaN和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
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http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268383.html2012/3/15 22:02:42
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http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279434.html2012/6/20 23:05:05
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282416.html2012/7/19 10:22:52
设备厂商积极参与光电展，旺硅计划展出第七代探针技术与发光二极管（LED）设备，抢攻第三季的LED旺季。
https://www.alighting.cn/news/20050609/102739.htm2005/6/9 0:00:00
