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功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

功率型led封装技术的关键工艺分析

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  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

vishay推出超小smd封装的功率型mini led

发布的高亮度led的结/环境热阻只有480k/w,功率耗散高达130mw,从而使驱动电流高达50ma。器件的小尺寸和高达1400mcd的发光强度使其成为车内仪表盘背光照明和车外重点

  https://www.alighting.cn/pingce/20111027/122881.htm2011/10/27 9:22:01

led封装领域用陶瓷基板现状与发展分析

塑胶尤其是环氧树脂由于比较好的经济性,至目前为止依然占据整个电子市场的统治地位,但是许多特殊领域比如高温、线膨胀系数不匹配、气密性、稳定性、机械性能等方面显然不适合,即使在环氧树脂

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/18/17855_45.htm2013/9/18 17:08:55

龙头封装大厂亿光,受市场看好

led族类股近期表现强劲,亿光(2393)上週五股价上涨2.77%,在大盘下跌下表现相对抢眼。市场看好亿光营收将逐月增温,第一季度是谷底,预期下半年成长动能强劲。

  https://www.alighting.cn/news/20090223/92350.htm2009/2/23 0:00:00

封装紧凑 欧司朗最新芯片堆叠技术助力红外

欧司朗光电半导体推出的红外 platinum dragon,发光面积小,但亮度极高。该款 led 的薄膜芯片面积仅 1 mm2,采用芯片层叠技术制成,只需 1 a 的驱动电流,光输

  https://www.alighting.cn/news/20091013/120816.htm2009/10/13 0:00:00

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