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术方面取得的巨大进展。用mocvd方法制成的发光二极管（照明）显著的提高了发光强度，并增加了颜色的变化范围。GaN基蓝色照明出现后，红绿蓝三色照明全部完成，几乎可以实现人眼能分辨的全
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/30/46667.html2010/5/30 6:33:00
下： led产业链投资规模估算 产业链节点 产品类别 投资规模 上游（外延片） GaN基外延片 1亿元以上 四元外延片 6000万元以上 中游（芯片） 蓝绿芯片 5000万元以上 红
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/12/96437.html2010/9/12 20:51:00
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98280.html2010/9/19 21:47:00
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114812.html2010/11/17 22:48:00
标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
国的osram就是以这样的架构开发出“thin GaN”高亮度led。原理是在inGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133847.html2011/2/19 23:28:00
到年产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
r lift-off）及金属黏合技术（metal bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
韩国—GaN半导体开发计划 欧洲—彩虹计划 中国—国家半导体照明工程 由于led的光源特性、特殊的产品设计以及高效率驱动电路,而且在光学设计方面,led是单向
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179091.html2011/5/17 16:25:00
