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品的光电转换（光能密度）指标达到每瓦80流明（80lm/w）以上，而hid灯为90lm/w，卤素灯 则是201m/w。另据海拉通报：最新的led研发原型的该项指标已高达161lm/
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115540.html2010/11/20 23:41:00
备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶ga
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
n膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度；另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5 v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
功率led由于芯片的功率密度很高，器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前gan基外延衬底材料有两大类：一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石；一
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
u）的界面极其脆弱。合金的热膨胀系数远大于gan，在高电流密度下的温度在较高处时，其接口应力会迅速上升。尤其在启动led的瞬间电流自接口电阻最低处汇流时，可能会产生爆点。除此之外， ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
个led芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127028.html2011/1/12 16:37:00
膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度;另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导致串
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
明 为照亮整个场地而设置的均匀照明称为一般照明。 为保证人员在整个场所中的活动，对于工作位置密度很大而光照方向无特殊要求的场所，均应装一般照明，照明指标应满足有关标准的要求，
http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2011/2/11/132105.html2011/2/11 16:49:00
射能量可完全为植物吸收利用，相比传统光源，大大提高了其生物能效。 b。可大大提高植物栽培密度。一方面，由于led光源紧凑，相比传统光源其体积大大减小;另一方面，由于传统光源会辐
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143389.html2011/3/17 20:57:00
么，桥梁路灯设计如何才能既保证行车的安全，又减少对桥梁夜景景观的影响呢？ 首先，减少路灯数量，降低密度。对于一些必须存在的路灯照明，可以适当拉大路灯的安装间距，以减少路灯总数
http://blog.alighting.cn/chinalpd/archive/2011/3/25/145017.html2011/3/25 11:21:00
