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底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（sic）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
性，即要站在设计者的角度去思考，又要站在用户的角度去考量产品… 目前上游龙企业，比如CREE已经可以做到的芯片光效可以达到130-150lm/w。但是led结温高低直接影响到le
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2010/12/2/117791.html2010/12/2 17:40:00
牌飞利浦、欧司朗、曼佳美、真明丽、亿光、美的照明、a.a.g. stucchi、bright、CREE、citizen、fulham、royal doulto
http://blog.alighting.cn/worldled/archive/2010/12/9/119425.html2010/12/9 21:52:00
逐的“蓝光技术”。目前国际上掌握“蓝光技术”的厂商仅有少数几家，比如日本的日亚化学、日本的丰田合成、美国的CREE、德国的欧司朗、中国深圳的联欣丰光电、晶能光电等，所以白光le
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120507.html2010/12/13 22:42:00
向流动，因此增大了led的发光面积，从而提高了led的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。 碳化硅衬底 碳化硅衬底（美国的cre
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
底gan基led制造技术受到业界的普遍关注。 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国CREE公司垄断了sic衬底上gan基led专利技术。因此，研
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
类是美国CREE公司为代表的sic衬底。传统的蓝宝石衬底gan芯片结构，电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分p-gan层和"发光"层被刻蚀，以便与下面的n-gan层形成电接
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
内照明。这个市场更大，而携led技术进入这一市场的人更少。但是，严酷的现实告诉人们，放眼世界，led芯片技术掌握在科锐(CREE)、飞利浦、欧司朗、日亚等少数企业手中；纵观国内，全
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/22/123010.html2010/12/22 15:49:00
度 要改变led的亮度，是很容易实现的。首先想到的是改变它的驱动电流，因为led的亮度是几乎和它的驱动电流直接成正比关系。图1中显示了CREE公司的xlampxp-g的输出相对
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/1/6/126260.html2011/1/6 10:18:00
此，CREE、晶电、璨圆、新世纪、旭明光电等led外延芯片生产的领头羊已纷纷进驻中国大陆。美国、日本及台湾led外延公司的生存之道就是把传统的水平led设计升级成垂直式led，这样才能在大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
