站内搜索
了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在P-gan层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种P型接触结构制约了led芯片的工作功
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
过芯片（chiP）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能，其余60
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120869.html2010/12/14 21:47:00
是很高的材料，其Pin长比其他支架要短10mm左右。Pin间距为2.28mm b、2003杯/平头：一般用来做φ5以上的lamP，外露Pin长为+29mm、-27mm。Pin间距为
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120871.html2010/12/14 21:47:00
d) (2-1)光强分布曲线如图1所示,是表示led发光在空间各方向的分布状态.在照明应用中计算工作面的照度均匀性和led灯的空间布置,光强分布是最基本的数据.对于空间光束为旋转对称型分
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120865.html2010/12/14 21:46:00
明的标准，只有有关普通 led的测试标准和与普通光源有关的照明方面的标准。普通led的测试标准有： （ 1）iec60747-5 Semiconductor device
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120868.html2010/12/14 21:46:00
结不可能极端完美，元件的注人效率不会达到100%,也即是说，在led工作时除P区向n区注入电荷（空穴）外，n区也会向P区注人电荷（电子），一般情况下，后一类的电荷注人不会产生光电效
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
n缓冲层→生长n型gan→生长ingan/gan多量子阱发光层→生长P型aigan层→生长P型gan层→键合带ag反光层并形成P型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺Si
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
选 led芯片分选难度很大，主要原因是led芯片尺寸一般都很小，从9mil到14mil（0.22-0.35nm）。这样小的芯片需要微探针才能够完成测试，分选过程需要精确的机
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120858.html2010/12/14 21:43:00
高，寿命长(约12000h)，但是功率较小(目前常用有28w和36w两种)，满足一定光照度所需灯具多。由于含有很多的绿光，容易造成作物徒长。目前常用于植物组培。 钠灯是汞和钠蒸
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120855.html2010/12/14 21:42:00
